[发明专利]一种甘薯脱毒原原种薯的快速繁殖方法

摘要

本发明提供了一种甘薯脱毒原原种薯的快速繁殖方法，将经茎尖培养获得的并检测无病毒的再生植株瓶苗，炼苗后栽植于塑料大棚中，并加防虫网。移栽最初2个周中午搭遮荫网。当脱毒苗长到40cm以上后，从其上剪切茎蔓，扦插于塑料大棚中进行快速繁殖，塑料大棚两头加防虫网，扦插苗长到40cm以上后可剪蔓扦插繁殖。栽植大田前，茎蔓可长到1m以上再剪，可节省塑料大棚用地。剪切塑料大棚中快繁的甘薯茎蔓，栽植于大田原原种繁殖地，长出分枝后，从其上剪蔓，在大田再繁殖，塑料大棚中也可以再剪蔓栽植大田，一直可栽植至7月下旬‑8月上旬。如此，每1棵脱毒试管苗可繁殖大量的茎蔓栽植大田原原种繁殖地，最终可获得大量脱毒原原种薯。

主权项

一种甘薯脱毒原原种薯的快速繁殖方法，其特征在于，它包括以下步骤：（1）在体视解剖镜下剥取带有l‑2 个叶原基的茎尖，接种到添加0.1‑0.2mg/L NAA 和1.0‑2.0mg/L BAP 的诱导培养基上，诱导不定芽的分化，培养条件每日12‑14 小时光照，2000‑3000lx，培养温度为26‑28℃；（2）在诱导培养基上培养6 周后，当再生小苗长至3cm 以上时，从基部切下，转移至添加0.05‑0.1mg/L NAA 和0.5‑1.0mg/L BAP 的MS 培养基中得完整植株，培养条件为26‑28℃，每日13 小时光照，2000‑3000lx；（3）经利用ELISA 法对再生植株进行病毒检测，脱除病毒的脱毒苗采用茎蔓切段方法快速繁殖，将脱毒苗1‑2 个叶节为1 个切段，扦插入新的添加0.05‑0.1mg/L NAA 和0.5‑1.0mg/LBAP 的MS 培养基中，腋芽萌发，又会长成完整植株，如此繁殖速度以几何级数增长，可在培养瓶内大量繁殖脱毒苗，培养条件为26‑28℃，每日13 小时光照，2000‑3000lx；（4）继代培养1 个月的试管苗，打开瓶口驯化2‑3 天，将试管苗洗净培养基，分单株直接栽植于温室中，浇足水，其上加防虫网，预防昆虫传播病毒；（5）移栽最初2 个周中午搭遮荫网，因为脱毒苗在培养瓶中的生长环境湿度大，苗娇嫩，搭遮荫网防止太阳直晒，使其逐渐适应外部环境条件；（6）移栽3‑4 周后，撒施尿素，施肥量按每亩9~11 斤，随即浇水，促进幼苗生长；（7）当茎蔓长至40cm 以上，剪切茎蔓扦插于温室或塑料大棚中，进行脱毒苗的再繁殖，塑料大棚两头加防虫网，栽植株间距20~30cm，每次剪蔓后，撒施尿素，施肥量按每亩9~11 斤，随即浇水；（8）剪切温室或塑料大棚中繁殖的脱毒苗茎蔓，栽植于大田原原种繁殖地，行距60‑80cm，株距18‑25cm，原原种繁殖地选择三年以上没种过带毒甘薯的地块，并且远离普通甘薯种植地块500米以上，可利用麦茬地作为原原种繁殖地；（9）原原种繁殖地的脱毒苗长出分枝后，从其上剪蔓，栽植于大田原原种繁殖地再繁殖，行距60‑80cm，株距18‑25cm，7月以后，每3天剪一茬蔓，反复剪蔓繁殖，一直栽植到7月下旬‑8月上旬；（10）塑料大棚中繁殖的脱毒苗继续剪蔓栽植大田原原种繁殖地，也一直可栽植至7 月下旬‑8 月上旬；秋天第一次下霜前收获种薯，可获得大量脱毒原原种薯。