[发明专利]一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池的制备方法

摘要

一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池及其制备方法，涉及多结太阳能电池制备技术领域，对主电极之间的AlGaInP粗化层进行粗化，在粗化后的AlGaInP粗化层表面制作减反射膜。本发明采用倒装结构电池，提高太阳电池的开路电压，电池效率能够达到31.5%~32%，在电池受光面作出粗化图形，并且通过导电的Si衬底与电极使整个结构为电流垂直结构，在保持上下导通的基础上可以直接应用于目前成熟的封装技术，并且适用于不同形状的组件。本发明提高了整个电池的短路电流密度，短路电流密度Jsc可以达到17.5mA/cm2。

主权项

一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池的制备方法，在Si衬底一侧设置背电极，在Si衬底另一侧通过接触层设置由底电池、中电池和顶电池构成的外延片，主电极通过图形化的接触层设置在顶电池上，在外延片的顶电池外设置表面粗化层，在表面粗化层上设置减反射膜，所述具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）在临时衬底上制备由底电池、中电池和顶电池构成的电池外延片：在GaAs临时衬底上面，依次生长N型GaAs的缓冲层、GaInP腐蚀截止层、N型GaAs接触层、AlGaInP粗化层、GaInP顶电池、第一隧穿结、GaAs中电池、第二隧穿结、InGaAs底电池和P型GaAs接触层；2）准备转移Si衬底：选取导电类型为P型的转移Si衬底，经清洗备用；3）在电池外延片的底电池背部和转移Si衬底正面，分别通过电子束依次蒸镀Ti、Pt和Au层，再将电池外延片与转移Si衬底进行金属键合；4）采用碱性腐蚀液去除金属键合后的电池外延结构上的临时衬底；5）在顶电池上制备主电极，在转移Si衬底上制备背电极；6）对主电极之间的AlGaInP粗化层进行粗化；7）在粗化后的AlGaInP粗化层表面制作减反射膜。