[发明专利]一种提高二维图形解析度的工艺方法

摘要

本发明涉及半导体工艺技术领域，本发明提供了一种提高二维图形解析度的工艺方法，采用了二次曝光的方式，对于最终设计图形中容易产生圆角以及缩短的区域，在第一次曝光时，将第一掩膜版的第一图形预先处理成向外延伸一定距离，在第二次曝光时，再涂覆上第二光刻胶层，将第二掩模版用于对预先延伸的区域遮挡，经过曝光蚀刻，使最终形成的图形与设计图形一致，避免图形产生拐角变圆以及线端缩短的现象，防止图形失真，提高二维图形的解析度。

主权项

1.一种提高二维图形解析度的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供半导体硅片，所述半导体硅片上涂布有第一光刻胶层；其中，所述硅片从下往上依次包括衬底、待刻蚀层以及硬掩膜层；步骤S2、采用具有第一图形的第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光显影，并将第一掩膜版上的第一图形转移到所述第一光刻胶层中；其中，所述第一图形具有大于设计图形的预设区域；步骤S3、以所述第一光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，使所述第一图形转移至所述硬掩膜层中；步骤S4、去除所述第一光刻胶层，并在所述硬掩膜层的表面涂布第二光刻胶层；步骤S5、采用具有第二图形的第二掩模版对所述第二光刻胶进行曝光显影，所述第二掩模版的第二图形覆盖所述预设区域，并向所述预设区域的垂直方向的两侧延伸预设距离；将第一图形和第二图形的结合转移到所述第二光刻胶层中，对所述待刻蚀层进行刻蚀；步骤S6、去除所述第二光刻胶层以及硬掩膜层，所述硅片上具有设计图形，其中，所述设计图形、第一图形和第二图形均为条状图形。