[发明专利]一种TEM样品制备方法有效
| 申请号： | 201510144200.9 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104697836B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺技术领域，本发明提供了一种TEM样品制备方法，首先在硅衬底上沉积相同厚度的保护层，在保护层的基础上对应各制样区域沉积不同厚度的厚度调节层，继而对TEM样品进行离子束减薄和切割，最终形成具有不同厚度区域的TEM样品。本发明解决了现有技术中针对不同的检测，往往需制备多个不同厚度的样品的问题，本领域技术人员采用该方法可方便快捷地制备出具有不同厚度区域的样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品制备方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供硅衬底，并在所述硅衬底上确认至少两个薄厚程度不同的制样区域；步骤S2、在各制样区域的上表面沉积相同厚度的保护层；步骤S3、在各制样区域对应的保护层的上表面沉积不同预设厚度的厚度调节层；步骤S4、重复实施步骤S3，直至各所述厚度调节层符合要求；步骤S5、对所述TEM样品进行离子束减薄；步骤S6、在所述硅衬底上对所述减薄后的TEM样品进行切割工艺，并提取出TEM样品。
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