[发明专利]接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201510144276.1 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733380B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄海;黄君;盖晨光 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的形成方法，在二氧化硅层与APF层之间增加一层介质层，并通过在形成接触孔深槽之后，利用圆角化工艺使接触孔深槽顶部的介质层顶角圆化，形成圆角，在后续去除介质层之后，圆角转移至二氧化硅层顶部，使得最终形成的接触孔具有圆角顶部。这样，在后续钨填充的工艺过程中，接触孔顶部不会过早封口，提升了钨的填充能力，从而提高器件的性能，降低器件失效的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 介质层 圆角 二氧化硅层 深槽 封口 工艺过程 降低器件 钨填充 圆角化 顶角 圆化 去除 填充 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：提供一待制作接触孔的半导体器件的衬底；在所述衬底上依次形成CESL层、SiO2 层、介质层、APF层、抗反射层和光刻胶；图形化所述光刻胶以在待制作接触孔的位置形成光刻胶凹槽；主刻蚀，刻蚀所述衬底并停留在所述CESL层，形成接触孔深槽；去除残留的光刻胶、抗反射层和APF层；采用等离子体轰击所述接触孔深槽顶部的介质层顶角，以在介质层的拐角处形成圆角；刻蚀去除接触孔深槽底部的CESL层以及顶部的介质层，圆角转移至所述SiO2 层顶部，形成具有圆角顶部的接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510144276.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的形成方法
- 下一篇：半导体结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
