[发明专利]功率半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201510144340.6 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106158955A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮;刘博;司徒道海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/40;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 万铁占;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件及其形成方法，其中功率半导体器件包括：基底；位于器件区的功率器件；位于终端区的终端结构；终端结构包括：位于基底正面中且环绕功率器件的环形沟槽、位于环形沟槽中的掺杂半导体材料层，半导体材料层与基底的掺杂类型相反。首先，本方案的终端结构的结构简单；其次，本方案终端结构中，沟槽内具有掺杂的半导体材料层，区别于传统深沟槽终端结构的介电材料介质作为填充物，无需再额外形成掺杂区，工艺步骤简单；最后，对于终端结构的环形沟槽数量、深度、环形沟槽的宽度、相邻两沟槽之间间距、半导体材料层的掺杂浓度，可根据具体的功率器件的击穿电压进行选择，以使功率半导体器件具有良好耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：基底，具有器件区和终端区，所述终端区环绕器件区；位于所述器件区的功率器件；位于所述终端区的终端结构；所述终端结构包括：位于所述基底正面中且环绕所述功率器件的环形沟槽、位于所述环形沟槽中的掺杂半导体材料层，所述半导体材料层与基底的掺杂类型相反。
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