[发明专利]一种低衰减少模光纤

摘要

本发明涉及一种低衰减少模光纤，芯层为两层，芯层外由内向外有三层包层；第一芯层的相对折射率差Δ1为0.30%~0.42%，半径R1为5.4μm~8μm，第二芯层的相对折射率差Δ2为0.20%~0.25%，半径R2为10μm~13μm，第一包层为紧密围绕芯层的内包层，其相对折射率差Δ4为‑0.02%~0.02%，半径R4为13.6μm~17μm，第二包层为下陷包层，紧密围绕内包层，其相对折射率差Δ5为‑0.8%~‑0.4%，半径R5为17.5μm~30μm，第三包层为紧密围绕下陷包层的外包层，为纯石英玻璃层。本发明在1550nm支持四个稳定的传输模式，既具有较小的DGD又工艺简单便于制作，同时，还具有较低的衰减和较好的抗弯曲性能。

主权项

一种低衰减少模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层为两层，芯层外由内向外有三层包层；所述的芯层剖面结构中，第一芯层的相对折射率差Δ1为0.30％～0.42％，半径R1为5.4μm～8μm，第二芯层的相对折射率差Δ2为0.20％～0.25％，半径R2为10μm～13μm，所述的包层剖面结构中，第一包层为紧密围绕芯层的内包层，其相对折射率差Δ4为‑0.02％～0.02％，半径R4为13.6μm～17μm，第二包层为下陷包层，紧密围绕内包层，其相对折射率差Δ5为‑0.8％～‑0.4％，半径R5为17.5μm～30μm，第三包层为紧密围绕下陷包层的外包层，为纯石英玻璃层；所述的相对折射率差定义为：Δ%=[(ni2-n02)/2ni2]×100%≈ni-n0n0×100%]]>ni和n0分别为各对应光纤各部分的折射率和纯二氧化硅玻璃的折射率。