[发明专利]原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法在审
| 申请号： | 201510144772.7 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104711462A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李庆林;兰晔峰;丁万武;王平波;申永前 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | C22C21/04 | 分类号： | C22C21/04;C22C1/02 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 730050 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法，其步骤为：（1）将含结晶水的硫酸铝铵无机盐装入粘土石墨坩埚中，放置于炉膛温度为200℃~240℃的电阻炉中，待硫酸铝铵完全熔化后搅拌5~30分钟，然后在该温度下保温，使硫酸铝铵完全脱水；（2）将过共晶铝硅合金熔化，并过热到900℃~950℃后将预热的硫酸铝铵用铝箔包裹，采用钟罩压入到合金熔体中，并不断搅拌使其完全反应；（3）对步骤（2）的熔体进行降温，当熔体的温度降到700℃~750℃时，采用CCl6精炼、除气和扒渣后浇注成形。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 自生 共晶铝硅 合金 变质 制备 方法 | ||
【主权项】：
原位自生过共晶铝硅合金变质剂的制备方法，其特征在于原位自生的微米级Al2O3颗粒变质所涉及的过共晶铝硅合金中硅的质量百分含量为18%~22%，其制备方法的步骤为：（1）将含结晶水的硫酸铝铵无机盐装入粘土石墨坩埚中，放置于炉膛温度为200℃~240℃的电阻炉中，待硫酸铝铵完全熔化后搅拌5~30分钟，然后在该温度下保温，使硫酸铝铵完全脱水；（2）将过共晶铝硅合金熔化，并过热到900℃~950℃后将预热的硫酸铝铵用铝箔包裹，采用钟罩压入到合金熔体中，并不断搅拌使其完全反应；（3）对步骤（2）的熔体进行降温，当熔体的温度降到700℃~750℃时，采用CCl6精炼、除气和扒渣后浇注成形。
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