[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201510145569.1 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104946150A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/08;C09J163/00;C09J161/06;C09J11/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供即使在芯片接合膜与半导体芯片之间、芯片接合膜与被粘物之间产生空隙，也能够降低空隙的影响的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，加热处理前在150℃下的储存弹性模量E’1为0.1MPa～10MPa，所述E’1与在150℃下加热1小时后在150℃下的储存弹性模量E’2之差即E’2-E’1为5MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 带有 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片接合膜，其特征在于，加热处理前在150℃下的储存弹性模量E’1为0.1MPa～10MPa，所述E’1与在150℃下加热1小时后在150℃下的储存弹性模量E’2之差即E’2‑E’1为5MPa以下。
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