[发明专利]采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法

摘要

本发明公开了一种采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法，包括如下步骤a)选用含有磷和硼的n型多晶硅原料；b)将n型多晶硅原料投入单晶炉主加热腔室中，加热熔化后使用n型晶向的籽晶引晶拉制形成单晶硅棒；c)将单晶硅棒向上提起放入单晶炉副腔室，关闭主加热腔室与副腔室闸板，并向副腔室冲入氩气，对单晶硅棒进行冷却。本发明通过选用含有磷和硼的n型多晶硅原料，无需再添加额外的n型或p型掺杂剂，降低太阳能电池成本；并且由于硅液中同时含有大量的磷和硼，一定含量的硼的分凝，对于磷的小的分凝系数所造成的电阻率分布梯度大，起到一定的补偿的作用，从而使得n型单晶硅片的电阻率分布更加集中均匀。

主权项

一种采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法，其特征在于，包括如下步骤：a)选用含有磷和硼的n型多晶硅原料；b)将n型多晶硅原料投入单晶炉主加热腔室中，加热熔化后使用n型的籽晶引晶拉制形成单晶硅棒；c)将单晶硅棒向上提起放入单晶炉副腔室，关闭主加热腔室与副腔室闸板，并向副腔室冲入氩气，对单晶硅棒进行冷却；所述步骤a)中的多晶硅原料为选择性冶金提纯而成的n型多晶硅原料，所述多晶硅原料中硼的重量含量为：0.04～0.1ppm；所述步骤b)中n型多晶硅原料的加热熔化时间为8小时，待温度稳定后使用n型<100>晶向的籽晶开始引晶，控制起始电阻率为5～6Ωcm；所述步骤b)中当剩余硅料百分重量占比下降到预设阀值时，第一根单晶棒进行收尾，待进行再次加料、熔化、温度稳定后进行第二根单晶棒拉制；所述步骤b)中采用以下配套参数进行等径处理：晶体转速为11～13rpm，坩埚转速为9.8～11rpm，晶体提拉速率为0.8～1.1mm/min，埚跟比为0.11～0.12，单晶炉主加热腔室内压力为1550～1650Pa，氩气流量为45～50slm。