[发明专利]电沉积组合物和使用所述组合物涂覆半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201510145991.7 | 申请日： | 2009-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN104862750B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 赛德·扎赫拉维;弗雷德里克·雷纳尔 | 申请（专利权）人： | 埃其玛公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/54;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 董世豪,张淑珍 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电沉积组合物，该组合物特别用于涂覆半导体衬底以制造用于生产集成电路中的互连线的“通孔”型结构。根据本发明，所述溶液包括乙二胺和浓度在14mM‑120mM之间的铜离子，乙二胺和铜的摩尔比在1.80‑2.03之间，且电沉积溶液的pH在6.6‑7.5之间。本发明还涉及所述电沉积溶液用于沉积铜种子层的用途，以及借助于本发明的电沉积溶液沉积铜种子层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 组合 使用 物涂覆 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种对用于生产集成电路的铜层进行镀覆的方法，其中，将所述铜层镀覆在蚀刻有长宽比大于3:1的结构的衬底上，并且其中，所述结构的表面形成对抗铜扩散的阻挡层，所述方法包括：‑使所述结构的表面和电沉积组合物接触的步骤，所述电沉积组合物以溶液形式在溶剂中包括：‑浓度在14mM‑120mM之间的铜离子；‑乙二胺；‑乙二胺和铜之间的摩尔比在1.80‑2.03之间；‑所述组合物的pH在6.6‑7.5之间；以及‑将所述表面极化足够的时间以形成覆盖因子超过99％、并且保形性超过30％的铜层的步骤。
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