[发明专利]硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器有效

专利信息
申请号: 201510147136.X 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN104801851B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 申辛海 申请(专利权)人: 山西南烨立碁光电有限公司
主分类号: B23K26/067 分类号: B23K26/067;B23K26/38;B23K26/402
代理公司: 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人: 吴立
地址: 046000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及一种硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器,属于LED芯片切割技术领域,为解决切割效率的技术问题,提供了一种结构简单,使用方便,避免切割过程中硅片产生弯翘、切割效率高的硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器,采用的技术方案为按照以下步骤进行,a、取硅基芯片样版片,b、将分光器安装在雷射源与放大器之间后进行试切,然后进行试切、调整,直至被分出的多个镭射点在同一水平线上;c、调整功率、量测和检查切深,d、切深满足后,取硅基芯片按照步骤a、b、c调整水平,设定边界,确定标准点,开始切割;本发明广泛用于LED芯片的切割。
搜索关键词: 硅基 led 芯片 切割 方法 及其 分光
【主权项】:
1.硅基LED芯片切割方法,其特征在于:按照以下步骤进行,a、取硅基芯片样版片,将硅基芯片样版本贴于SPV224白膜表面,然后放在镭射切割机的载盘上,并将载盘移动至镭射源下方,并启动真空吸紧胶膜;b、将分光器安装在雷射源与放大器之间后进行试切,检查硅基芯片样版片表面的切痕辨别被分出的多个镭射点是否在同一水平线上,若不在,调整分光镜的镜片角度,再试切,直至被分出的多个镭射点在同一水平线上;再取一分光镜安装在放大器与反光镜之间,然后进行试切、调整,直至被分出的多个镭射点在同一水平线上;c、调整功率、量测和检查切深,打开镭射源功率与量测,将多点镭射光点打在量侧仪表面,通过调整电流与频率,左右滑动硅基芯片样版本,然后取下硅基芯片样版本,在高倍显微镜下检查切深;d、切深满足后,取硅基芯片按照步骤a、b、c调整水平,设定边界,确定标准点,开始切割。
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