[发明专利]一种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增殖的方法有效
| 申请号： | 201510147487.0 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104719166A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 严宁;牟宗敏;胡虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院昆明植物研究所 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 昆明协立知识产权代理事务所(普通合伙) 53108 | 代理人： | 马晓青 |
| 地址： | 650201 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增殖的方法，通过调节不同阶段培养基中的氮源类型和浓度来促进杏黄兜兰无菌苗增殖、生长及生根：在KNO3∶NH4NO3的比例为1∶1，总浓度为60mML-1的1/2MS培养基中利于杏黄兜兰无菌苗增殖，而以KNO3为氮源，浓度为40mML-1的1/2MS培养基利于其长出较多叶片数和较大叶面积，而浓度为0或10mML-1的KNO3为氮源的1/2MS培养基利于生根。本发明方法简单，可操作性强，可做为促进杏黄兜兰无菌苗增殖和生长的人工繁殖技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 杏黄 兜兰 菌苗 生长 增殖 方法 | ||
【主权项】：
一种促进杏黄兜兰无菌苗生长及增殖的方法，其特征在于在基本培养基中加入不同浓度或不同比例的KNO3或NH4NO3，进行影响无菌苗生长的试验，通过调节不同阶段培养基中的氮源类型、浓度和比例，促进杏黄兜兰无菌苗增殖、生长及生根。
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