[发明专利]掩膜只读存储器及其制造方法和使用方法有效
| 申请号： | 201510148355.X | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104882445B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜只读存储器，包括硅衬底上的P阱，P阱两侧浅隔离槽，P阱上部具有多个N型埋源/漏区，栅氧位于P阱和浅隔离槽上方，N型多晶硅栅位于栅氧上方，N型多晶硅栅两侧具有隔离侧墙，N型多晶硅栅下方两个N型埋源/漏之间具有至少一组对应的沟道区和P型源漏注入区，P型源漏注入区掺杂浓度大于沟道区掺杂浓度；其特征在于还包括位于N型多晶硅栅和隔离侧墙之间的P型多晶硅栅。本发明还公开了所述掩膜只读存储器的制造方法和使用方法。本发明的掩膜只读存储器能改善现有掩膜只读存储器周边漏电缺陷，提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 及其 制造 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜只读存储器，所述掩膜只读存储器包括：硅衬底上的P阱，P阱两侧浅隔离槽，P阱上部具有多个N型埋源/漏区，栅氧位于P阱和浅隔离槽上方，N型多晶硅栅位于栅氧上方，N型多晶硅栅两侧具有隔离侧墙，N型多晶硅栅下方两个N型埋源/漏之间具有至少一组对应的沟道区和P型源漏注入区，P型源漏注入区掺杂浓度大于沟道区掺杂浓度；P型多晶硅栅位于N型多晶硅栅两侧，N型多晶硅和隔离侧墙之间；其特征在于：采用沟道区作为信息“0”的存储单元，采用P型源漏注入区作为信息“1”的存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
