[发明专利]一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置及方法在审
| 申请号： | 201510149032.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104766814A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王春伟;李阳柏;张传民;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，包括：晶圆上片装置；清洗装置，用于待清洗晶圆之表面清洁，并进一步包括具有不同清洗功效的清洗单元；真空腔室，设置在所述晶圆上片装置和所述清洗装置之间，所述待清洗之晶圆便通过所述真空腔室之硅片进出窗口传送至所述清洗装置内；干燥装置，设置在所述清洗装置和所述真空腔室之间，并用于对所述清洗后之晶圆进行干燥。本发明针对湿法清洗的薄弱环节，通过在清洗装置和晶圆上片装置之间，以及在干燥装置与晶圆上片装置之间设置真空腔室，避免了在湿法清洗工艺中所述晶圆与外界氧气和水汽接触，有效的阻止了自然氧化膜的生长，从另一方面提高了半导体制造工艺特别是栅氧化层淀积工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 湿法 清洗 工艺 自然 氧化 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，其特征在于，所述防止湿法清洗工艺中自然氧化膜生长的装置，包括：晶圆上片装置，用于待清洗晶圆上片、传输；清洗装置，用于待清洗晶圆之表面清洁，并进一步包括具有不同清洗功效的清洗单元，且所述清洗单元还包括依次顺序相连的化学品槽和去离子水槽；真空腔室，设置在所述晶圆上片装置和所述清洗装置之间，所述待清洗之晶圆便通过所述真空腔室之硅片进出窗口传送至所述清洗装置内；干燥装置，设置在所述清洗装置和所述真空腔室之间，并用于对所述清洗后之晶圆进行干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
