[发明专利]光刻对准标记结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510149621.0 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN104698773B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 王艳云;毛智彪;杨正凯;罗华明 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种光刻对准标记结构及其制造方法,是一种多层次相互对准精度图形结构设计及其制造方法,所有光刻对准图形在向任意层光刻对准图形所在平面投影时,均相对同一中心呈中心对称图形,且所有光刻对准图形的投影按照光刻对准图形的形成顺序由内向外依次嵌套和扩展,可运用于多种光刻工艺制程之中,根据不同需求,随意匹配,以达到不变应万变的对准要求,能够满足不同层次间光刻对准标记的相互对准要求,同时可以兼顾传统对准量测和3次曝光、4次曝光所需的对准量测,而且比较节省切割道的空间,降低成本。
搜索关键词: 光刻 对准 标记 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光刻对准标记结构的制造方法,其特征在于,包括:按时间顺序依次光刻并刻蚀出至少一层用于被对准的前层光刻对准图形;选取至少一层所述前层光刻对准图形用作当层光刻对准图形建立时的被对准图形,并根据所选取的前层光刻对准图形的套刻精度,建立与所选取的前层光刻对准图形均对准的当层光刻对准图形,包括:根据所选取的前层光刻对准图形的套刻精度,在当层建立内框和外框;分别测量所述内框和外框相对于所选取的前层光刻对准图形的套刻精度;将测量的套刻精度的平均值作为当层光刻对准图形的套刻精度;对当层光刻对准图形进行蚀刻,以作为后层光刻对准图形的被对准标记;选取至少一层所述前层光刻对准图形和/或蚀刻后的当层光刻对准图形用作所述后层光刻对准图形建立时的被对准图形,并根据所选取的光刻对准图形的套刻精度,建立与所选取的光刻对准图形均对准的后层光刻对准图形。
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