[发明专利]反熔丝单次可编程存储单元以及存储器的操作方法

摘要

本发明公开一种反熔丝单次可编程存储单元以及存储器的操作方法，其单次可编程只读存储单元包括反熔丝单元及选择晶体管。反熔丝单元分别包括依序设置于基底上的反熔丝层与反熔丝栅极、修改的延伸掺杂区设置于反熔丝层下方的基底中以及设置于反熔丝栅极的相对两侧的基底中的第一掺杂区与第二掺杂区。选择晶体管，包括选择栅极、栅极介电层、第二掺杂区与第三掺杂区。选择栅极设置于基底上。栅极介电层设置于选择栅极与基底之间。第二掺杂区与第三掺杂区，分别设置于选择栅极的相对两侧的基底中。其中反熔丝层、反熔丝栅极与修改的延伸掺杂区构成可变电容器。

主权项

一种改善读取特性的反熔丝单次可编程存储单元，包括：反熔丝单元，设置于一基底上，该基底具有第一导电型，该反熔丝单元包括：反熔丝栅极，设置于该基底上；反熔丝层，设置于该反熔丝栅极与该基底之间；修改的延伸掺杂区，具有第二导电型，设置于该反熔丝层下方的基底中，其中该反熔丝层、该反熔丝栅极与该修改的延伸掺杂区构成一可变电容器；以及第一掺杂区与第二掺杂区，具有该第二导电型，并分别设置于该反熔丝栅极的相对两侧的该基底中；选择晶体管，设置于该基底上，包括：选择栅极，设置于该基底上；栅极介电层，设置于该选择栅极与该基底之间；该第二掺杂区与一第三掺杂区，具有该第二导电型，并分别设置于该选择栅极的相对两侧的该基底中；其中该选择晶体管包括核心金属氧化物半导体(core MOS)晶体管，该选择晶体管具有：淡掺杂区，具有该第二导电型，设置于该选择栅极与该第二掺杂区之间，其中该淡掺杂区的接面深度与该修改的延伸掺杂区的接面深度相同，该淡掺杂区的掺杂浓度与该修改的延伸掺杂区的掺杂浓度相同；以及源极/漏极延伸区，具有该第二导电型，设置于该选择栅极与该第三掺杂区之间，其中该源极/漏极延伸区的接面深度小于该修改的延伸掺杂区的接面深度，该源极/漏极延伸区的掺杂浓度大于该修改的延伸掺杂区的掺杂浓度。