[发明专利]一种改进的纳米多孔铜薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510150818.6 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104789934A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘洁;潘登 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C23F1/02;C23C24/00;C23C28/00;B32B3/24;B32B15/04;B32B9/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种改进的纳米多孔铜薄膜，在纳米多孔铜的表面修饰有单层石墨烯。本发明还提供了上述纳米多孔铜薄膜的制备方法，将锰靶材和铜锰合金靶材放入磁控溅射制膜仪腔内的靶位上，将单晶硅片固定到靶位正上方的托盘上，抽真空，设置溅射条件，打开纯锰靶材开始溅射，在硅片上制备得到一层纯锰薄膜，然后打开铜锰靶材开始溅射，在纯锰薄膜上形成一层铜锰合金薄膜，将铜锰合金薄膜进行腐蚀得到纳米多孔铜薄膜，将制备好的纳米多孔铜薄膜泡洗去除表面盐酸残留液，将洗干净的纳米多孔铜薄膜放入石墨烯凝胶中浸泡，然后去除表面浮着的石墨烯凝胶，得到与石墨烯复合的纳米多孔铜薄膜。本发明的纳米多孔铜薄膜兼备高比容量及稳定的电化学循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 纳米 多孔 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的纳米多孔铜薄膜，其特征在于：在纳米多孔铜的表面修饰有单层石墨烯。
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