[发明专利]一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺在审
| 申请号： | 201510151623.3 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104775150A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 路鹏;李世杰;黄永恩;史志明;范全东;武哲 | 申请（专利权）人： | 宁晋赛美港龙电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 刘闻铎 |
| 地址： | 055550 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺，属于单晶硅生长工艺技术领域，所述工艺在环境温度为20-25℃之内进行，其工艺步骤中包括：A、称重：据工艺要求，称取金属镓0.8-1克置于合金勺内；B、熔化：将上述合金勺放入熔化炉内，控制炉内温度50-60℃，熔化时间4-7min得到熔融液；C、快速冷却：在籽晶端面上开槽，之后进行腐蚀清理，将熔融液倒入籽晶端面上，然后用夹持器以端面垂直向上夹持住籽晶放入冷冻室冷却，冷却时间大于3min，冷却温度-10—0℃；D、存放、备用：将籽晶从冷冻室内取出，存放于专用容器内，备用。本重掺杂工艺可以提高镓掺杂量的准确性，还可以将直拉法单晶硅生长的后序引晶、放肩步骤前的“加合金”步骤省略，大大提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉法 单晶硅 生长 中的 工艺 | ||
【主权项】：
一种直拉法单晶硅生长中的掺嫁工艺，其特征在于：所述工艺在环境温度为20‑25℃之内进行，其工艺步骤中包括：A、称重：据工艺要求，称取金属镓0.8‑1克置于合金勺内；B、熔化：将上述合金勺放入熔化炉内，控制炉内温度50‑60℃，熔化时间4‑7min得到熔融液；C、快速冷却：在籽晶端面上开槽，之后进行腐蚀清理，将熔融液倒入籽晶端面上，然后用夹持器以端面垂直向上夹持住籽晶放入冷冻室冷却，冷却时间大于3min，冷却温度‑10—0℃；D、存放、备用：将籽晶从冷冻室内取出，存放于专用容器内，备用。
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