[发明专利]一种新型高储能密度电容器材料的合成方法

摘要

本发明涉及一种新型高储能密度电容器材料的合成方法，属于化学合成领域。该合成方法具体包括如下几个实验步骤：把原料水合Zn(NO₃)₂、水合Ni(NO₃)₂、DMF、AgNO₃、KI、C₂H₄(NH₂)₂、C₂H₅OH准备好。首先用AgNO₃、KI和DMF配制0.1mol/L的AgI₂^-/DMF溶液。将水合Zn(NO₃)₂和水合Ni(NO₃)₂·按照物质的量分别为1∶9、3∶7、5∶5、7∶3、9∶1适量，溶解DMF后加入少量乙二胺与配好的0.1mol/L的AgI₂^-/DMF溶液，用保鲜膜封起，室温下放置，一段时间后即可得到5种化合物Zn_0.1Ni_0.9(en)₃Ag₂I₄、Zn_0.3Ni_0.7(en)₃Ag₂I₄、Zn_0.5Ni_0.5(en)₃Ag₂I₄、Zn_0.7Ni_0.3(en)₃Ag₂I₄、Zn_0.9Ni_0.1(en)₃Ag₂I₄。

主权项

一种新型高储能密度电容器材料的合成方法，其特征在于所述的方法包括以下几个步骤：(1)配制0.1mol/L的AgI₂^‑/DMF溶液，将0.865gAgNO₃溶于10mlDMF，往得到的溶液中加入20ml饱和的KI/DMF溶液并充分搅拌至溶液变清晰，再用DMF将溶液稀释到50ml；(2)依次将水合Zn(NO₃)₂、水合Ni(NO₃)₂溶于DMF后加入到0.1mol/L的AgI₂^‑/DMF溶液中；(3)混合放置一段时间让起生长晶体；(4)反应后得到的反应液过滤，之后洗涤、晾干。将步骤(2)中的溶液加入乙二胺，在温度为‑5～15℃条件下反应。