[发明专利]倒装LED芯片及其形成方法有效
| 申请号： | 201510152729.5 | 申请日： | 2015-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106159043B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 朱秀山;徐慧文;李智勇;朱广敏;余婷婷;张宇;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种倒装LED芯片及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；形成N型半导体层、有源层和P型半导体层；形成露出部分N型半导体层的开口；形成P、N电极层、绝缘反射层；形成P、N电极结构。倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层；P型半导体层上具有P电极层，开口中的N型半导体层上具有N电极层；覆盖于P型半导体层、P电极层、N型半导体层以及N电极层上的绝缘反射层；形成于绝缘反射层中，与P电极层电连接的P电极结构、与N电极层电连接的N电极结构。本发明的有益效果在于，绝缘反射层在起到绝缘隔离的作用的同时，还可以将部分光线反射至衬底，这有利于增加倒装LED芯片的透光率。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上依次形成N型半导体层、有源层和P型半导体层；/n在所述P型半导体层以及有源层中形成露出部分N型半导体层的开口；/n在所述P型半导体层上形成功函数大于所述P型半导体层功函数的透明导电层；/n在所述透明导电层上形成功函数大于所述透明导电层功函数的P电极层，其中，所述P电极层的材料为：金属材料，所述P电极层形成在所述透明导电层的表面和侧壁；/n在所述开口中的N型半导体层上形成N电极层，其中，所述P电极层位于所述N电极层的两侧；/n在所述P型半导体层、P电极层、N型半导体层以及N电极层上覆盖绝缘反射层；/n在所述绝缘反射层中形成与所述P电极层电连接的P电极结构，以及与N电极层电连接的N电极结构；/n在所述绝缘反射层、P电极结构以及N电极结构上形成钝化层；/n刻蚀所述钝化层以露出P电极结构、N电极结构；/n在所述钝化层上形成分别对应于所述P电极结构、N电极结构的P引出电极和N引出电极，所述P引出电极和N引出电极之间具有间距。/n
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