[发明专利]一种自支撑型61Ni同位素靶的制备方法

摘要

本发明属于靶的制备技术领域，公开了一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法。该方法包括的步骤为：(1)同位素粉末的凝结；(2)轧制与真空退火交替进行2～5次；(3)轧制。该方法能够制备面积可达6000mm²且厚度可小至0.5μm的⁶¹Ni同位素靶且使得材料利用率高达95％。

主权项

一种自支撑型⁶¹Ni同位素靶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下几个步骤：(1)同位素粉末的凝结在真空度好于3×10^‑4Pa的真空室内，利用电加热装置将⁶¹Ni同位素粉末材料加热至1450℃使其蒸发并冷凝至收集器上，凝结成团聚状；(2)轧制与真空退火交替进行2～5次将步骤(1)得到的团聚状⁶¹Ni同位素材料，进行轧制与真空退火过程得到箔状⁶¹Ni同位素材料，并且轧制与真空退火按先后顺序交替进行2～5次；其中真空退火所需的真空好于5×10^‑4Pa，退火温度为580～600℃，每次退火时间30～35min；(3)轧制将步骤(2)得到的箔状⁶¹Ni同位素材料进行轧制，得到所需厚度和面积的⁶¹Ni同位素靶；步骤(2)～(3)所述的轧制过程是在轧辊机中进行的，轧辊间距初始设为1.5～2mm。