[发明专利]一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法有效
| 申请号： | 201510153852.9 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104867818B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 芦伟立;冯志红;李佳;刘庆彬;蔚翠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 申超平 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，涉及半导体器件技术领域；包括如下步骤（1） 衬底准备选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2） 初步外延生长在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3）原位退火切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4） 再外延生长对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。本发明能够显著减小外延层中的残余应力，有效减少衬底传播外延层中缺陷，获取缺陷密度小的高质量碳化硅外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 碳化硅 外延 材料 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少碳化硅外延材料缺陷的方法，其特征在于包括如下步骤：（1） 衬底准备：选取碳化硅衬底，对其进行标准清洗待用；（2） 初步外延生长：在碳化硅衬底上用化学气相沉积法进行初步外延生长较薄外延层；（3） 原位退火：切断外延生长源，对设备反应室抽真空，在1650℃～2000℃条件下，对步骤（2）外延后的样品进行退火处理；（4） 再外延生长：对步骤（3）退火后的样品，进行再外延生长，至所需厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
