[发明专利]具有周期性碳掺杂的氮化镓的高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201510155907.X | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN106158946A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | J·C·拉默;K·克尼里姆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有周期性碳掺杂的氮化镓的高电子迁移率晶体管。公开了一种具有多个一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的形成方法，和通过所述方法形成的HEMT器件。在一个实施方案中，该方法包括在基板上形成沟道层叠层，沟道层叠层具有多个一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层。该方法进一步包括在沟道层叠层上形成阻挡层。在一个实施方案中，沟道层叠层通过在抑制碳在氮化镓中的引入的生长条件下生长一层或多层未掺杂的氮化镓层中的每一层和在促进碳在氮化镓中的引入的生长条件下生长一层或多层碳掺杂的氮化镓层中的每一层来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 周期性 掺杂 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管器件的形成方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成具有多个交替层的沟道层叠层，所述交替层为一层或多层未掺杂的氮化镓层和一层或多层碳掺杂的氮化镓层的交替层；和在所述沟道层叠层上形成阻挡层。
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