[发明专利]阵列基板的制造方法及制造装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制造方法及制造装置，属于金属氧化物半导体技术领域。所述方法包括在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；在形成有栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形的栅极图形；改变栅极光刻胶图形的温度，使栅极光刻胶图形的宽度变化；在形成有变化后的栅极光刻胶图形的基板的有源层的预设区域两侧形成LDD，预设区域为栅极图形在有源层的投影区域，每个LDD的长度为(a‑b)/2，其中，a为变化后的栅极光刻胶图形的宽度，b为栅极图形的宽度；剥离变化后的光刻胶。本发明解决了对LDD长度的控制灵活度较低，且可行性较差的问题，实现了提高LDD长度的控制灵活度和可行性，用于制造阵列基板。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；在形成有所述栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形的栅极图形，所述栅极光刻胶图形的宽度大于所述栅极图形的宽度；根据确定的光刻胶处理温度和/或处理时长改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化；在形成有变化后的栅极光刻胶图形的基板的有源层的预设区域两侧形成轻掺杂汲极LDD，所述预设区域为所述栅极图形在所述有源层的投影区域，每个所述LDD的长度为(a‑b)/2，其中，a为变化后的栅极光刻胶图形的宽度，b为所述栅极图形的宽度；剥离所述变化后的光刻胶。