[发明专利]基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构

摘要

本发明公开了一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构。对于二端口及多端口互联结构，同一侧的信号和地待测TSV结构中心连线的垂直平分线上布置有隔离TSV结构，隔离TSV结构用于隔离垂直的待测TSV结构与水平的底面RDL导体之间的电磁耦合，主要由间隔布置的金属硅通孔柱构成；隔离TSV结构为内侧隔离TSV结构或者内侧隔离TSV结构与外侧隔离TSV结构两者的结合。本发明与现有的硅通孔生产工艺完全兼容，适合于通过去嵌入的实验测试方法测量微波、毫米波段硅通孔的电磁特性，与传统的测量方法相比大大提高了测量精度，在微波、毫米波段三维结构的测量领域将具有巨大的应用价值。

主权项

一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构，包括硅衬底（1）、底面RDL导体（2）、通过底面RDL导体（2）连接的待测TSV结构、凸起（4）和测试引脚（6），待测TSV结构由对称分布在两侧的两组待测硅通孔柱构成，待测TSV结构包括信号待测TSV结构（3）和地待测TSV结构（12），其特征在于：对于二端口及多端口互联结构，同一侧的信号待测TSV结构（3）和地待测TSV结构（12）中心连线的垂直平分线上布置有隔离TSV结构，隔离TSV结构用于隔离垂直的待测TSV结构与水平的底面RDL导体（2）之间的电磁耦合，隔离TSV结构主要由间隔布置的金属硅通孔柱构成，所有金属硅通孔柱两侧对称；隔离TSV结构为内侧隔离TSV结构（5）或者内侧隔离TSV结构（5）与外侧隔离TSV结构（10）两者的结合，内侧隔离TSV结构（5）位于互联内侧，外侧隔离TSV结构（10）位于互联外侧。