[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极以及有源层的步骤，形成所述有源层包括分步形成第一多晶硅层以及位于所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，以及在所述第二多晶硅层中和所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子。该薄膜晶体管的制备方法能减少薄膜晶体管中的界面缺陷态及不稳定因素，从而提升低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性，获得更稳定的阵列基板和显示装置性能。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极以及有源层的步骤，其特征在于，形成所述有源层包括：分步形成第一多晶硅层以及位于所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，以及在所述第二多晶硅层中和所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子；其中，形成所述有源层的步骤具体包括：形成第一非晶硅层；通过第一次激光退火工艺将所述第一非晶硅层转变为所述第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层的上表面形成第二非晶硅层，并在形成所述第二非晶硅层的过程中加入掺杂离子；对所述第二非晶硅层进行第二次激光退火工艺，使所述第一多晶硅层的上表层熔融，所述第二非晶硅层在所述第一多晶硅层的表面生长，形成第二多晶硅层并使得所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子。