[发明专利]双界面调控的n型单晶硅的处理方法

摘要

本发明公开了一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其包括如下步骤：S1.提供n型硅片，在n型硅片的背面制作Al掺杂的p⁺发射极，对背面制作有Al掺杂的p⁺发射极的n型硅片进行预退火处理，之后再对其进行二次退火处理；S2.在n型硅片的正面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al₂O₃薄膜层；S4.在形成的Al₂O₃薄膜层进行贵金属修饰。本发明的双界面调控的n型单晶硅的处理方法使得光电化学电池中光生电子与空穴之间的俄歇复合率明显降低，且稳定性增强、使用寿命长，同时具有较高的光解水效率。

主权项

一种双界面调控的n型单晶硅的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括如下步骤：S1.提供n型硅片，在n型硅片的背面制作Al掺杂的p⁺发射极，对背面制作有Al掺杂的p⁺发射极的n型硅片进行预退火处理，之后再对其进行二次退火处理；S2.在n型硅片的正面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S3.在清洗过的制绒面上沉积形成Al₂O₃薄膜层；S4.在形成的Al₂O₃薄膜层进行贵金属修饰。