[发明专利]气体传送系统的整体式陶瓷组件及其制造和使用方法在审
申请号: | 201510161585.X | 申请日: | 2015-04-07 |
公开(公告)号: | CN105185725A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 约翰·多尔蒂;伊克巴尔·谢里夫;迈克·伊盖梅尔斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C04B35/00;C04B35/622 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及气体传送系统的整体式陶瓷组件及其制造和使用方法,具体涉及一种制作半导体衬底处理装置的气体传送系统的整体式陶瓷组件的方法,其中,所述气体传送系统被配置成供应处理气体到布置在其下游的气体分配件。所述气体分配件被配置成传送处理气体到所述装置的真空腔的处理区域,其中,该处理区域设置在待处理的半导体衬底的上表面之上。所述方法包括准备陶瓷材料生坯。所述陶瓷材料生坯被形成为气体传送系统的理想的整体式陶瓷组件。所述已成形的陶瓷材料生坯被烧制以形成所述气体传送系统的整体式陶瓷组件。 | ||
搜索关键词: | 气体 传送 系统 整体 陶瓷 组件 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】:
一种制作半导体衬底处理装置的气体传送系统的整体式陶瓷组件的方法,所述气体传送系统被配置成供应处理气体到布置在其下游的气体分配件,所述气体分配件被配置成供应所述处理气体到所述装置的真空腔的处理区域,其中,所述处理区域布置在待处理的半导体衬底的上表面之上,制作所述整体式陶瓷组件的所述方法包括:准备陶瓷材料生坯;使所述陶瓷材料生坯成形为所述气体传送系统的理想的整体式陶瓷组件的形状;以及烧制已成形的所述陶瓷材料生坯以形成所述气体传送系统的所述整体式陶瓷组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造