[发明专利]一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法，复合三维纳米材料由CdTe量子点、SiO2和TGA组成，TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面，TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层，TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间；形状为稻草捆状，长度为200～300µm，中心处直径为50～120µm。其制备方法为,TGA修饰的CdTe量子点在室温下用溶胶凝胶法包覆一层SiO2层，然后分散到PBS缓冲液自组装得到具有高发光亮度的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料，在传感器、发光装置、太阳能电池等领域有广泛的应用前景。

主权项

一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）水溶性CdTe量子点表面包覆SiO2层：将硅烷试剂和氨水加入到量子点浓度为10‑4～10‑5M的TGA修饰的CdTe量子点水溶液中，搅拌1～10h，得透明溶液；2）自组装形成复合三维纳米材料：向步骤1）制备的溶液中，加入0.5～0.6倍体积的浓度为1M的PBS缓冲液，混匀，密封，室温下静置2～12个月，离心分离出自组装后的纳米复合材料，水洗，再分散到水中，其中量子点的分散浓度为10‑4～10‑5M，得到自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料；所述的自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料：由CdTe量子点、SiO2和TGA组成，TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面，TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层，TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间；所述的复合三维纳米材料形状为稻草捆状，长度为200～300µm，中心处直径为50～120µm；所述的CdTe量子点的直径为2～10nm；所述的CdTe量子点与SiO2、TGA的摩尔比为(5～8) : (1～4) : 11；所述TGA为巯基乙酸。