[发明专利]高温亚铁磁半导体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510163120.8 申请日: 2015-04-08
公开(公告)号: CN104844162B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 龙有文;邓宏芟;殷云宇 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/622
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 代理人: 蔡纯,高青
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种新型高温亚铁磁半导体,其化学式为CaCu3Fe2Os2O12,具有高温亚铁磁性,居里温度接近600K。还公开了一种制备所述高温亚铁磁半导体的方法,包括将CaO、Fe2O3、CuO、Os、氧源均匀混合,得到混合物;研磨;将混合物填充在金或铂金胶囊中密封;将金或铂金胶囊置于高压装置中高温高压处理;退火或淬火处理;先降温后卸压;将反应产物从金或铂金胶囊中取出,充分研磨;清洗。本发明提出的CaCu3Fe2Os2O12具有高的居里温度以及宽的半导体能隙,在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。
搜索关键词: 高温 亚铁 半导体 cacu sub fe os 12 及其 制备 方法
【主权项】:
一种制备高温亚铁磁半导体的方法,其中,所述高温亚铁磁半导体的化学式为CaCu3Fe2Os2O12,所述制备方法包括:将CaO、Fe2O3、CuO、Os、氧源均匀混合,得到混合物;研磨;将混合物填充在金或铂金胶囊中密封;将金或铂金胶囊置于高压装置中高温高压处理,其中,所述高温高压处理的压力为6‑10GPa,温度大于1000℃;退火或淬火处理;先降温后卸压;将反应产物从金或铂金胶囊中取出,充分研磨;清洗。
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