[发明专利]具有接触插塞的半导体结构有效
| 申请号： | 201510163148.1 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448863B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 谢文佳;洪隆杰;王智麟;郭康民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，半导体器件包括衬底、外延层、第一蚀刻停止层、层间介电(ILD)层、第二蚀刻停止层、保护层、衬垫、硅化物帽和接触插塞。衬底具有第一部分和第二部分。外延层设置在第一部分中。第一蚀刻停止层设置在第二部分上。ILD层设置在第一蚀刻停止层上。第二蚀刻停止层设置在ILD层上，其中第一蚀刻停止层、ILD层和第二蚀刻停止层形成围绕第一部分的侧壁。保护层设置在侧壁上。衬垫设置在保护层上。硅化物帽设置在外延层上。接触插塞设置在硅化物帽上并且被衬垫围绕。本发明还涉及具有接触插塞的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻停止层 接触插塞 保护层 硅化物 外延层 半导体结构 半导体器件 侧壁 衬底 层间介电 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有第一部分和邻近所述第一部分的第二部分；外延层，设置在所述第一部分中；第一蚀刻停止层，设置在所述第二部分上；层间介电(ILD)层，设置在所述第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层，设置在所述层间介电层上，其中，所述第一蚀刻停止层、所述层间介电层和所述第二蚀刻停止层形成围绕所述第一部分的侧壁；保护层，设置在所述侧壁上，其中，所述保护层由氧化物或氮化物形成；衬垫，设置在所述保护层上；硅化物帽，设置在所述外延层上；以及接触插塞，设置在所述硅化物帽上并且被所述衬垫围绕。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510163148.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子部件
- 下一篇：三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法
