[发明专利]半导体器件及有与背面电极直接邻接区的RC‑IGBT

摘要

本发明涉及半导体器件及有与背面电极直接邻接区的RC‑IGBT。一种半导体器件，包括在半导体主体中的第一导电类型的漂移区，配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元。第一导电类型的第一区以及互补第二导电类型的第二区和第三区分别在漂移区和背面电极之间。第一、第二和第三区直接邻接背面电极。其中第三区相比于第二区更大且具有较低的平均发射极效率。

主权项

一种半导体器件，包括：在半导体主体中的第一导电类型的漂移区；配置以在第一状态中形成与漂移区连接的导电沟道的可控单元；和第一导电类型的第一区以及与第一导电类型互补的第二导电类型的第二区和第三区，分别在漂移区和背面电极之间，其中第三区相比于第二区更宽且具有较低的平均发射极效率，并且其中第一、第二和第三区直接邻接背面电极其中，相邻的第一区被第二区之一分离。