[发明专利]非金属图案的制作方法有效
| 申请号： | 201510164163.8 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104867813B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 苏君海;李建;王荣超;任思雨;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种非金属图案的制作方法，其包括如下步骤：在基板上形成非金属刻蚀层；在所述非金属刻蚀层上形成非晶金属氧化物；对所述非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理，使所述预定区域的非晶金属氧化物形成多晶金属氧化物；对预定区域外的非晶金属氧化物进行第一次刻蚀处理，对所述预定区域外的非金属刻蚀层进行第二次刻蚀处理；去除所述预定区域的多晶金属氧化物，形成非金属图案。与现有技术相比，上述非金属图案的制作方法减少了涂胶、曝光、显影、脱膜等一系列步骤，缩短了生产周期，降低了生产成本，而且实现了在不使用曝光掩膜板的条件下的产品生产，减少了物料的耗损及设备的投入，避免了有机试剂的使用，并减少了对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 预定区域 非金属图案 非晶金属 氧化物 刻蚀层 多晶金属氧化物 刻蚀 制作 生产周期 曝光掩膜板 产品生产 激光退火 有机试剂 基板 涂胶 脱膜 显影 去除 生产成本 曝光 污染 | ||
【主权项】：
1.一种非金属图案的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成非金属刻蚀层；在所述非金属刻蚀层上形成非晶金属氧化物；对所述非晶金属氧化物的预定区域进行激光退火处理，使所述预定区域的非晶金属氧化物形成多晶金属氧化物；对预定区域外的非晶金属氧化物进行第一次刻蚀处理，以除去所述预定区域外的所述非晶金属氧化物；对所述预定区域外的非金属刻蚀层进行第二次刻蚀处理，以除去所述预定区域外的非金属刻蚀层；去除所述预定区域的多晶金属氧化物，形成非金属图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
