[发明专利]用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法有效
| 申请号： | 201510165819.8 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN105023832B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林云跃;陈嘉仁;李信昌;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于极紫外(EUV)掩模的光刻系统。光刻系统包括耦合模块。耦合模块包括配置为接触EUV掩模的外围区域的至少一个掩模接触元件。光刻系统也包括具有通过至少一个掩模接触元件电连接至EUV掩模的一端和连接至地电位的另一端的安培计。安培计包括配置为测量从EUV掩模传导至地电位的电流的传感器和配置为提供与通过传感器测量的电流相反的补偿电流的补偿电路。本发明还涉及用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 euv 掩模上 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于极紫外EUV掩模的光刻系统，包括：耦合模块，包括配置为接触所述EUV掩模的外围区域的至少一个掩模接触元件；以及安培计，具有通过所述至少一个掩模接触元件电连接至所述EUV掩模的一端和连接至地电位的另一端，其中，所述安培计包括配置为测量从所述EUV掩模传导至所述地电位的电流的传感器和配置为提供与通过所述传感器测量的电流相反的补偿电流的补偿电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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