[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201510166166.5 | 申请日: | 2015-04-09 |
公开(公告)号: | CN104867877A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 肖丽;王强涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/34;H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明的实施例公开一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,能够减少显示面板的制作工序。该阵列基板包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的栅线和栅极;覆盖所述栅线和栅极的绝缘层;在绝缘层上对应所述栅极的位置的有源层;所述有源层上方的蚀阻挡层,其中所述刻蚀阻挡层为遮光材料,所述刻蚀阻挡层对应像素电极的位置镂空,所述刻蚀阻挡层包括位于所述有源层上方的第一过孔和第二过孔;所述刻蚀阻挡层上的数据线、源极和漏极,其中所述源极通过第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接,所述源极还连接所述数据线,所述漏极连接像素电极层。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成栅线和栅极;形成覆盖所述栅线和栅极的绝缘层;在绝缘层上对应所述栅极的位置形成有源层;通过一次构图工艺形成覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层为遮光材料,其中所述刻蚀阻挡层对应像素电极的位置镂空,所述刻蚀阻挡层包括位于所述有源层上方的第一过孔和第二过孔;在所述刻蚀阻挡层上形成导电材料层,并通过一次构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成数据线、源极和漏极,其中所述源极通过第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接,所述源极还连接所述数据线,所述漏极连接像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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