[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置在审
| 申请号： | 201510167212.3 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104867833A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 张家朝;李建;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制作方法，包括：沉积非晶硅层的步骤；晶化处理，形成多晶硅层的步骤；形成有源层的步骤；形成沟道掺杂的步骤；碳离子注入的步骤；形成过孔的步骤；形成栅极绝缘层及栅极的步骤；形成源极及漏极的步骤。上述薄膜晶体管的制作方法可提高有源层的禁带宽度，进而降低了低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。而且，还可降低低温多晶硅的可见光吸收系数，降低背光源产生的光致漏电流。此外，上述薄膜晶体管的制作方法，可适用于现有多晶硅薄膜晶体管生产线，无需增加光掩膜次数或更改生产设备，操作方法简单方便。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：沉积非晶硅层的步骤；对所述非晶硅层进行晶化处理，形成多晶硅层的步骤；形成有源层的步骤；形成沟道掺杂的步骤；碳离子注入的步骤；形成栅极绝缘层及栅极的步骤；形成过孔的步骤；形成源极及漏极的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
