[发明专利]硅晶片的热处理方法和硅晶片有效
| 申请号： | 201510167489.6 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104979191B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 须藤治生;荒木浩司;青木龙彦;前田进 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/322;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于确保硅晶片的表层和主体的强度，并且提高晶体品质的面内均匀性。解决手段为构成硅晶片的热处理方法，该硅晶片的热处理方法具有如下工序第1工序，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将上述第1工序中热处理的硅晶片以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；以及第3工序，将上述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶片的热处理方法，具有如下工序：第1工序，对于从通过提拉法生长的硅锭切出的硅晶片，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将在所述第1工序中热处理的硅晶片在氧化气氛中以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；第3工序，将在所述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时；以及第4工序，将在所述第3工序中热处理的硅晶片在非氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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