[发明专利]3D闪存沟道的制造方法

摘要

本发明提出了一种3D闪存沟道的制造方法，先通过刻蚀第二沟道介质层以及第一沟道介质层，接着再形成第二沟道硅，覆盖在所述第一沟道介质层上，以在后续刻蚀中保护所述第一沟道介质层，避免后续刻蚀造成第一沟道介质层过刻蚀引起的性能下降等问题，并且相比于现有技术还能够减少刻蚀光罩的使用，使得双图形刻蚀的工艺窗口增大，有利于进行大量生产。

主权项

一种3D闪存沟道的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括形成在基底上的绝缘层，形成在所述绝缘层内相互隔离的多层牺牲层，所述半导体结构设有沟道通孔，所述沟道通孔贯穿所述绝缘层和多层牺牲层；在所述沟道通孔中依次形成第一沟道介质层、第一沟道硅及第二沟道介质层，所述第一沟道介质层位于所述沟道两侧壁，所述第一沟道硅位于所述第一沟道介质层的两侧壁，所述第二沟道介质层位于所述第一沟道硅之间；刻蚀去除预定深度的第二沟道介质层，暴露出部分第一沟道硅；去除暴露出的第一沟道硅，暴露出部分第一沟道介质层，使所述第一沟道硅的高度与所述第二沟道介质层的高度相同；刻蚀去除暴露出的第一沟道介质层，暴露出沟道通孔的侧壁，使所述第一沟道介质层的高度与所述第二沟道介质层的高度相同；在所述沟道通孔中填充第二沟道硅，使所述第二沟道硅覆盖所述第一沟道介质层、第一沟道硅及第二沟道介质层，以在后续刻蚀中保护所述第一沟道介质层。