[发明专利]双向穿通半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510170448.2 | 申请日： | 2015-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104851919B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 姚飞;王世军;秦波 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,刘锋 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种双向穿通半导体器件及其制造方法。该双向穿通半导体器件包括彼此并联连接的第一晶体管和第二晶体管；其中，第一晶体管包括位于半导体衬底中的半导体掩埋层、以及外延半导体层的位于半导体掩埋层上的第一外延区域，半导体掩埋层作为第一晶体管的基区，以及第二晶体管包括外延半导体层的位于半导体衬底上的第二外延区域、以及位于第二外延区域中的第一掺杂区，第一掺杂区作为第二晶体管的基区，其中，外延半导体层的第一外延区域和第二外延区域为不同的导电类型。该双向穿通半导体器件可以实现大致对称的正反向特性，采用一个器件就可以实现低工作电压下的双向保护。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双向穿通半导体器件，包括：彼此并联连接的第一晶体管和第二晶体管；其中，第一晶体管与第二晶体管分别位于第一导电类型的半导体衬底的第一区域和第二区域，第一晶体管包括位于半导体衬底中的第二导电类型的半导体掩埋层、以及外延半导体层的位于半导体掩埋层上的第一外延区域，所述半导体掩埋层作为第一晶体管的基区，以及第二晶体管包括外延半导体层的位于半导体衬底上的第二外延区域、以及位于第二外延区域中的第二导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区作为第二晶体管的基区，其中，所述外延半导体层的第一外延区域和第二外延区域为不同的导电类型。
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