[发明专利]KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法有效
| 申请号： | 201510171285.X | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106140671B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王超;王宝瑞;吉方;黄文;何建国;李晓媛;汤光平;张云飞;魏齐龙;罗清;郑永成;朱元庆 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法，包括以下步骤：（1）对抛光后的KDP晶体进行射流冲洗；（2）对射流冲洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合溶剂清洗；（3）在步骤（2）中，组合清洗剂包括胺类和醇类清洗剂；（4）在步骤（2）中，复合频率涵盖45‑1500KHz。（5）清洗完成后，将KDP晶体干燥并存放于密封防潮盒内。本发明操作简便，可高效去除KDP晶体磁流变抛光产生的油膜和颗粒等各种污染，清洗后可获得较低的粗糙度，为激光倍频晶体的超精密抛光提供良好的技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | kdp 晶体 流变 抛光 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对磁流变抛光后的KDP晶体进行射流清洗；（2）对步骤（1）中射流清洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合清洗剂清洗；（3）对步骤（2）中清洗后的KDP晶体再次进行复合超声频率组合清洗剂清洗。
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