[发明专利]制备高厚度均匀性纳米/亚微米SiO2薄膜的方法

摘要

一种制备高厚度均匀性纳米/亚微米SiO2薄膜的方法，包括以下步骤基底前处理；抽真空和升温；根据薄膜厚度的不同，重复多个循环过程进行沉积，每一循环过程由一次进行的四个步骤组成，循环过程数目根据所制备薄膜的厚度不同确定；后处理沉积过程结束后，自动关闭程序，保持真空状态，在真空腔内冷却到室温。本发明的优点是采用原子层沉积的方法，采用特定的Si源和臭氧反应的方法，逐层制备SiO2，对于厚度的控制非常精准，反应重复性好，反应温度低，实现了在6英寸Si片上从1nm～1000nm范围内多个厚度量值上厚度均匀性优于1%，满足表面分析设备用标准物质的需求。耗能成本降低，可以小规模生产。

主权项

一种制备高厚度均匀性纳米/亚微米SiO2薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 基底前处理：采用新鲜异丙醇溶液将Si片浸泡24小时，取出，用新鲜异丙醇溶液进行淋洗，采用惰性气体高纯氮气吹干后，迅速放入原子层沉积室内的基底架上；(2) 抽真空和升温：将基底架送入沉积室中，真空抽到0mbar，温度升到设定值后恒温一段时间，升起基底架，并通入恒定流量的高纯氮气；（3）沉积：根据薄膜厚度的不同，重复多个循环过程进行沉积，每一循环过程由依次进行的四个步骤组成，每一循环过程中的四个步骤分别为：通入Si源、一次氮气吹扫、通入臭氧和二次氮气吹扫；一个循环过程结束后即进行下一循环过程，循环过程数目根据所制备薄膜的厚度确定；(4) 后处理：沉积过程结束后，自动关闭程序，保持真空状态，在真空腔内冷却到室温后取出。