[发明专利]芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种芯片及其制作方法。其中该芯片包括：衬底；中间功能区，设置在衬底上，其上设有中间穿透硅通孔，中间穿透硅通孔的内壁上形成有阻挡层，且中间穿透硅通孔中设置有导电层；边缘功能区，设置在衬底上，其上设有边缘穿透硅通孔，边缘穿透硅通孔的内壁上形成有阻挡层，其中，该芯片还包括设置于边缘穿透硅通孔内的介质层。该介质层能避免边缘穿透硅通孔的内壁直接裸露，从而避免缘穿透硅通孔内壁上的阻挡层因外部应力等发生开裂，甚至剥落，进而避免了由于阻挡层剥落造成的颗粒状缺陷以及芯片良率的降低，使得芯片的稳定性得到提高。

主权项

1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成多个功能区，并在各所述功能区中分别形成贯穿相应功能区的穿透硅通孔，并在各所述穿透硅通孔的侧壁上形成阻挡层；将所述多个功能区分为中间功能区和边缘功能区，位于所述中间功能区中的所述穿透硅通孔为中间穿透硅通孔，位于所述边缘功能区中的所述穿透硅通孔为边缘穿透硅通孔；在所述中间穿透硅通孔中形成导电层，在所述边缘穿透硅通孔中形成介质层，其中，在所述中间穿透硅通孔中形成导电层，在所述边缘穿透硅通孔中形成介质层的步骤包括：在所述衬底上各所述功能区的表面上，以及各所述穿透硅通孔中形成连续设置的预备导电层；刻蚀去除位于各所述边缘功能区表面上，以及各所述边缘穿透硅通孔中的所述预备导电层，形成覆盖在所述中间功能区表面并填充所述中间穿透硅通孔的过渡导电层；在所述过渡导电层的表面上，所述边缘功能区表面上，以及所述边缘穿透硅通孔中形成预备介质层；处理所述预备介质层，形成覆盖所述边缘功能区表面并填充在所述边缘穿透硅通孔的过渡介质层，所述过渡介质层的上表面低于或等于所述过渡导电层的上表面；去除位于所述中间功能区表面上的过渡导电层和位于边缘功能区表面上的所述过渡介质层，在中间穿透硅通孔中形成所述导电层，在边缘穿透硅通孔中形成所述介质层。