[发明专利]内线转移CCD结构及其制作方法

摘要

一种内线转移CCD结构，包括硅衬底，所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区，其创新在于：所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅，多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层，遮光层表面淀积有回流层，所述回流层将光敏区覆盖；所述遮光层采用难熔金属或难熔金属合金制作。本发明的有益技术效果是：提出了一种新的内线转移CCD结构及制作方法，通过采用高熔点金属材料来替换铝，使遮光层可以直接形成于多晶硅转移栅上，降低器件漏光率。

主权项

一种内线转移CCD结构，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上邻近设置有转移区（A）和光敏区（B），其特征在于：所述转移区（A）范围内的硅衬底（1）表面上设置有多晶硅转移栅（2），多晶硅转移栅（2）表面覆盖有遮光层（3），遮光层（3）表面淀积有回流层（4），所述回流层（4）将光敏区（B）覆盖；所述遮光层（3）采用难熔金属或难熔金属合金制作。