[发明专利]制造光源的方法在审
| 申请号： | 201510174114.2 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105280511A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 金寿成;文盛铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造光源的方法，所述方法包括以下步骤：提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；向半导体光源供应电力；接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量；自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光并执行对所接收的光的光学性质的第二测量；通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷；以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光源 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光源的方法，所述方法包括以下步骤：提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；向半导体光源供应电力；接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量；自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光，并执行对所接收的光的光学性质的第二测量；通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷；以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
