[发明专利]一种氮化物发光二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510174719.1 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104900773B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 谢祥彬;宋长伟;张家宏;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种氮化物发光二极管结构及其制备方法，包括提供一玻璃衬底；在所述玻璃衬底上层叠缓冲层结构，所述缓冲层结构为SiAlN层和AlGaN层循环组成，所述循环数目为1~5；然后再依次生长非掺杂的氮化镓层、N型层、量子阱结构层和P型层。本发明采用价格低廉、工艺成熟的玻璃为衬底，并在其上生长SiAlN与AlGaN缓冲层，改善衬底与外延层之间的晶格失配常数，进而提高发光二极管的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管结构，包括：非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层和P型层，其特征在于：所述氮化物发光二极管结构包括玻璃衬底及沉积于所述玻璃衬底上的由SiAlN层和AlGaN层组成的缓冲层结构。
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