[发明专利]有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法有效
| 申请号： | 201510174922.9 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104851977B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张文超;顾明苏;叶家海;秦志春;田桂蓉 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 邹伟红,朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法。包括以下步骤将待反应硅片置于去除氧气后的R1盐溶液中搅拌加热，得到R1/Si含能芯片；将步骤1中得到的含能芯片清洗后加入到DMF中，加入K2CO3搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌加热，得到二溴乙烷/R1/Si含能芯片；将步骤2得到的含能芯片依次重复步骤1和步骤2，反复(n‑1)次；将R2含能化合物溶解于DMF中，加入K2CO3，室温搅拌反应，形成相应盐溶液；将步骤3中的含能芯片加入步骤4中，搅拌加热，得到Si~R2 的（n+1）层含能芯片。本发明是一种操作简单的湿化学方法，在温和条件下可制备具有高发火量、长发火时间的有机含能薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 芯片 及其 采用 硅片 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机含能芯片，其特征在于，所述芯片具有如下结构：其中，R1独立选自于中的一种，R2独立选自于中的一种；n＝1～3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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