[发明专利]双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法使用半色调掩膜板进行一道光罩制程既能够完成氧化物半导体层的图案化，又能够通过离子掺杂得到氧化物导体层(53’)；通过一道光罩制程同时对底栅绝缘层(31)与顶栅绝缘层(32)进行图案化处理；通过一道光罩制程同时对第二、第三金属层进行图案化处理，得到第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)、第二漏极(84)、第一顶栅极(71)、及第二顶栅极(72)；通过一道光罩制程同时对第二平坦层(9)、钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)进行图案化处理，光罩制程减少至九道，有效简化了制程，提高了生产效率，降低了生产成本。

主权项

一种双栅极氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，通过第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，形成第一底栅极(21)、及第二底栅极(22)；在所述第一底栅极(21)、第二底栅极(22)、及基板(1)上沉积底栅绝缘层(31)；步骤2、在所述底栅绝缘层(31)上沉积色阻层，分别通过第二、第三、第四道光罩制程依次对所述色阻层进行图案化处理，形成红/绿/蓝色阻层(3)；接着在所述红/绿/蓝色阻层(3)上沉积第一平坦层，并通过第五道光罩制程对所述第一平坦层进行图案化处理，形成分别覆盖所述红/绿/蓝色阻层(3)的第一平坦层(4)；对所述底栅绝缘层(31)进行等离子处理；步骤3、在所述底栅绝缘层(31)、及第一平坦层(4)上沉积氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上涂覆光阻层，并使用半色调掩膜板进行第六道光罩制程：先对所述光阻层进行曝光、显影，得到分别位于所述第一底栅极(21)、第二底栅极(22)、及第一平坦层(4)上方覆盖所述氧化物半导体层的第一光阻层(41)、第二光阻层(42)、及第三光阻层(43)；所述第一光阻层(41)的两侧区域、第二光阻层(42)的两侧区域、及第三光阻层(43)的厚度小于所述第一光阻层(41)的中间区域、及第二光阻层(42)的中间区域的厚度；再利用所述第一光阻层(41)、第二光阻层(42)、及第三光阻层(43)对所述氧化物半导体层进行刻蚀，使所述氧化物半导体层图案化，得到分别位于所述第一底栅极(21)、第二底栅极(22)、及第一平坦层(4)上方的第一氧化物半导体层(51)、第二氧化物半导体层(52)、及第三氧化物半导体层(53)；步骤4、去除所述第一光阻层(41)的两侧区域、第二光阻层(42)的两侧区域、及第三光阻层(43)；以余下的第一光阻层(41)的中间区域、及第二光阻层(42)的中间区域为遮蔽层，对所述第一氧化物半导体层(51)的两侧区域、第二氧化物半导体层(52)的两侧区域、及第三氧化物半导体层(53)进行离子掺杂，使所述第一氧化物半导体层(51)的两侧区域、及第二氧化物半导体层(52)的两侧区域转变为导体，使所述第三氧化物半导体层(53)转变为氧化物导体层(53’)；之后去除余下的第一光阻层(41)的中间区域、及第二光阻层(42)的中间区域；步骤5、在所述第一氧化物半导体层(51)、第二氧化物半导体层(52)、氧化物导体层(53’)、及底栅绝缘层(31)上沉积顶栅绝缘层(32)，通过第七道光罩制程同时对所述顶栅绝缘层(32)与底栅绝缘层(31)进行图案化处理，形成分别位于所述第一氧化物半导体层(51)的两侧区域上方的第一过孔(91)、位于所述第二氧化物半导体层(52)的两侧区域上方的第二过孔(92)、位于所述氧化物导体层(53’)上方的第三过孔(93)、及位于所述第一底栅极(21)与第二底栅极(22)之间暴露出所述第一底栅极(21)一侧的第四过孔(94)；步骤6、在所述顶栅绝缘层(32)上沉积第二、第三金属层，通过第八道光罩制程对所述第二、第三金属层进行图案化处理，分别得到位于所述第一氧化物半导体层(51)上方的第一顶栅极(71)、位于所述第一顶栅极(71)两侧的第一源极(81)与第一漏极(82)、位于所述第二氧化物半导体层(52)上方的第二顶栅极(72)、位于所述第二顶栅极(72)两侧的第二源极(83)与第二漏极(84)；所述第一源极(81)与第一漏极(82)分别经由所述第一过孔(91)与所述第一氧化物半导体层(51)的两侧区域相接触，所述第二源极(83)与第二漏极(84)分别经由所述第二过孔(92)与所述第二氧化物半导体层(52)的两侧区域相接触，所述第一源极(81)经由所述第三过孔(93)与所述氧化物导体层(53’)相接触，所述第二源极(83)经由所述第四过孔(94)与所述第一底栅极(21)相接触；步骤7、在所述第一顶栅极(71)、第一源极(81)、第一漏极(82)、第二顶栅极(72)、第二源极(83)、第二漏极(84)、及顶栅绝缘层(32)上沉积钝化层(8)；步骤8、在所述钝化层(8)上沉积第二平坦层(9)，通过第九道光罩制程对所述第二平坦层(9)、钝化层(8)、及顶栅绝缘层(32)同时进行图案化处理，得到位于所述氧化物导体层(53’)上方的第五过孔(95)，以暴露出部分氧化物导体层(53’)，定义出发光层的形状；所述第一底栅极(21)、第一氧化物半导体层(51)、第一源极(81)、第一漏极(82)、及第一顶栅极(71)构成第一双栅极TFT(T1)，所述第二底栅极(22)、第二氧化物半导体层(52)、第二源极(83)、第二漏极(84)、及第二顶栅极(72)构成第二双栅极TFT(T2)；所述氧化物导体层(53’)构成OLED的阳极。