[发明专利]一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510176105.7 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104867674A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 黄国兴;万志 | 申请（专利权）人： | 赫得纳米科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/015 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，将其分切为薄膜电容所需的薄膜带，并绕卷为薄膜卷；（2）将需要做喷金端面镀膜的薄膜卷放置在载具上进入真空腔室，并对真空腔室进行抽真空；（3）对真空腔室内通入稀有气体，将载有薄膜卷的载具匀速通过阴极体，并同时对阴极体施加高压直流电，在阴极体附近形成等离子区，区域中的正离子被阴极体靶材负极所吸引，并撞击其表面，靶材原子飞溅出原靶材本体，在阴极体下方匀速移动的薄膜卷的喷金端面沉积形成金属镀层，从而形成了金属化镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 薄膜 电容 金属化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型薄膜电容用金属化薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，将其分切为薄膜电容所需的薄膜带，并绕卷为薄膜卷；（2）将需要做喷金端面镀膜的薄膜卷放置在载具上进入真空腔室，并对真空腔室进行抽真空；（3）对真空腔室内通入稀有气体，将载有薄膜卷的载具匀速通过阴极体，并同时对阴极体施加高压直流电，在阴极体附近形成等离子区，区域中的正离子被阴极体靶材负极所吸引，并撞击其表面，靶材原子飞溅出原靶材本体，在阴极体下方匀速移动的薄膜卷的喷金端面沉积形成金属镀层，从而形成了金属化镀膜。
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