[发明专利]一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅

摘要

本发明公开了一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、金属、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱。本发明利用可控硅中内嵌二极管在触发阶段，电流主要沿器件纵向流动，从而充分利用器件纵向上的阱电阻，相比常规的二极管触发可控硅，本发明的器件只需较少的串联二极管数，就能实现较高的触发电压，因而提高了面积效率。

主权项

一种基于二维设计的高面积效率二极管触发可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱，其特征在于：还包括P+注入区、N+注入区、金属、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱；所述第一N阱上设置有第一P+注入区，所述第一N阱和P阱上，沿纵向依次跨设第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区，所述第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区互不相连，并用浅槽隔离进行隔离，所述P阱和第二N阱上，沿纵向依次跨设第三N+注入区、第四N+注入区，所述第三N+注入区、第四N+注入区互不相连，并用浅槽隔离进行隔离，所述第二N阱上设置有第五N+注入区；所述第一P+注入区接入阳极，所述第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区均接入阴极；所述第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区用金属相连接；所述第一P+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第一P+注入区和第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区和第三N+注入区、第四N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第三N+注入区、第四N+注入区和第五N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离，所述第五N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离。